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NSS12100UW3TCG

NSS12100UW3TCG

僅供參考

型號 NSS12100UW3TCG
PNEDA編號 NSS12100UW3TCG
描述 TRANS PNP 12V 1A WDFN3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,170
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSS12100UW3TCG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSS12100UW3TCG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSS12100UW3TCG, NSS12100UW3TCG數據表 (總頁數: 5, 大小: 63.33 KB)
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NSS12100UW3TCG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic440mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 2V
功率-最大740mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝3-WDFN (2x2)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

260MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 300mA, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30A, 5V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 70mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

135MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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