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NSBC144WDP6T5G

NSBC144WDP6T5G

僅供參考

型號 NSBC144WDP6T5G
PNEDA編號 NSBC144WDP6T5G
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBC144WDP6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBC144WDP6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBC144WDP6T5G, NSBC144WDP6T5G數據表 (總頁數: 8, 大小: 152.44 KB)
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NSBC144WDP6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大408mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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100mA

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50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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