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NSBC144EPDXV6T5G

NSBC144EPDXV6T5G

僅供參考

型號 NSBC144EPDXV6T5G
PNEDA編號 NSBC144EPDXV6T5G
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBC144EPDXV6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBC144EPDXV6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBC144EPDXV6T5G, NSBC144EPDXV6T5G數據表 (總頁數: 10, 大小: 100.93 KB)
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  • NSBC144EPDXV6T5G Distributor

NSBC144EPDXV6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 500mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 6mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

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功率-最大

300mW

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

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100mA

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電阻-基本(R1)

10kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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