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NP88N075MUE-S18-AY

NP88N075MUE-S18-AY

僅供參考

型號 NP88N075MUE-S18-AY
PNEDA編號 NP88N075MUE-S18-AY
描述 MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP88N075MUE-S18-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP88N075MUE-S18-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP88N075MUE-S18-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)88A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.5mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs230nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

145W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 74W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

133nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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