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NJVMJD243T4G

NJVMJD243T4G

僅供參考

型號 NJVMJD243T4G
PNEDA編號 NJVMJD243T4G
描述 TRANS NPN 100V 4A DPAK-4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJD243T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJD243T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJD243T4G, NJVMJD243T4G數據表 (總頁數: 10, 大小: 196.8 KB)
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NJVMJD243T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 200mA, 1V
功率-最大1.4W
頻率-過渡40MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

45MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 3A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 5A, 2V

功率-最大

175W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 275mA, 5.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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