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NJD1718T4G

NJD1718T4G

僅供參考

型號 NJD1718T4G
PNEDA編號 NJD1718T4G
描述 TRANS PNP 50V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJD1718T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJD1718T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJD1718T4G, NJD1718T4G數據表 (總頁數: 5, 大小: 108.03 KB)
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NJD1718T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大1.68W
頻率-過渡80MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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