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NGTB15N60S1EG

NGTB15N60S1EG

僅供參考

型號 NGTB15N60S1EG
PNEDA編號 NGTB15N60S1EG
描述 IGBT 600V 30A 117W TO220-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB15N60S1EG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB15N60S1EG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB15N60S1EG, NGTB15N60S1EG數據表 (總頁數: 10, 大小: 132.69 KB)
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NGTB15N60S1EG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.7V @ 15V, 15A
功率-最大117W
開關能量550µJ (on), 350µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用88nC
25°C時的Td(開/關)65ns/170ns
測試條件400V, 15A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)270ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

833W

開關能量

8620µJ (on), 11400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/620ns

測試條件

800V, 75A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

34A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

80µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/116ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

85W

開關能量

90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/60ns

測試條件

480V, 12A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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