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NESG2101M05-A

NESG2101M05-A

僅供參考

型號 NESG2101M05-A
PNEDA編號 NESG2101M05-A
描述 RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NESG2101M05-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NESG2101M05-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NESG2101M05-A, NESG2101M05-A數據表 (總頁數: 14, 大小: 2,044.03 KB)
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NESG2101M05-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5V
頻率-過渡17GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益11dB ~ 19dB
功率-最大500mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce130 @ 15mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝M05

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頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

9dB ~ 18dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-86

供應商設備包裝

86 Plastic

BFR193L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12.5dB ~ 19dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

10.5dB ~ 16.5dB

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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