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NESG2030M04-T2-A

NESG2030M04-T2-A

僅供參考

型號 NESG2030M04-T2-A
PNEDA編號 NESG2030M04-T2-A
描述 RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NESG2030M04-T2-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NESG2030M04-T2-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NESG2030M04-T2-A, NESG2030M04-T2-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 428.56 KB)
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NESG2030M04-T2-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.3V
頻率-過渡60GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
增益16dB
功率-最大80mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝M04

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

-

功率-最大

330mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

增益

24dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-89, SOT-490

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

200MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

增益

20dB

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

MPSH81

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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