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NE85639R-T1-A

NE85639R-T1-A

僅供參考

型號 NE85639R-T1-A
PNEDA編號 NE85639R-T1-A
描述 RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85639R-T1-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85639R-T1-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85639R-T1-A, NE85639R-T1-A數據表 (總頁數: 6, 大小: 970.77 KB)
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NE85639R-T1-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡9GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
增益13.5dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-143R
供應商設備包裝SOT-143R

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323-3

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 9dB

功率-最大

290W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55CX

供應商設備包裝

55CX

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.03GHz ~ 1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.7dB

功率-最大

2050W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

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