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NE68519-T1

NE68519-T1

僅供參考

型號 NE68519-T1
PNEDA編號 NE68519-T1
描述 RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE68519-T1資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE68519-T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE68519-T1, NE68519-T1數據表 (總頁數: 17, 大小: 720.24 KB)
PDFNE68530-A數據表 封面
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NE68519-T1規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡12GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益7.5dB
功率-最大125mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 10mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

增益

-

功率-最大

750mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

14-SOIC

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

9dB ~ 11dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 20mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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