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NE67818-A

NE67818-A

僅供參考

型號 NE67818-A
PNEDA編號 NE67818-A
描述 RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE67818-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE67818-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE67818-A, NE67818-A數據表 (總頁數: 17, 大小: 4,449.04 KB)
PDFNE67818-A數據表 封面
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NE67818-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡12GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.7dB @ 2GHz
增益13dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 30mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝-

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

22dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

SS9018GBU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

72 @ 1mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

KSC1674CYTA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

EC4H08C-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

24GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

17dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 8.5dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

55JT

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