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NE662M04-T2-A

NE662M04-T2-A

僅供參考

型號 NE662M04-T2-A
PNEDA編號 NE662M04-T2-A
描述 RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE662M04-T2-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE662M04-T2-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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NE662M04-T2-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3.3V
頻率-過渡25GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
增益18dB
功率-最大115mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝SOT-343F

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增益

21dB

功率-最大

54mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

CMPAK-4

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

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150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12dB ~ 18dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

PG-SOT143-4

BFP 405 H6433

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

增益

23dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

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