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NDS8852H

NDS8852H

僅供參考

型號 NDS8852H
PNEDA編號 NDS8852H
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDS8852H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDS8852H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NDS8852H, NDS8852H數據表 (總頁數: 12, 大小: 349.57 KB)
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NDS8852H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1165pF @ 10V

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2.7W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

668pF @ 25V

功率-最大

3.1W

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FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2457pF @ 25V

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