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NCP5351DR2G

NCP5351DR2G

僅供參考

型號 NCP5351DR2G
PNEDA編號 NCP5351DR2G
描述 IC DRIVER MOSFET DUAL 4A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP5351DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP5351DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP5351DR2G, NCP5351DR2G數據表 (總頁數: 14, 大小: 189.05 KB)
PDFNCP5351DR2G數據表 封面
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NCP5351DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 6.5V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)4A, 4A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)25V
上升/下降時間(典型值)8ns, 14ns
工作溫度-30°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 13ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.4A, 1.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

5ns, 5ns

工作溫度

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安裝類型

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頻道類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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頻道類型

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門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

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