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NCP3420DR2G

NCP3420DR2G

僅供參考

型號 NCP3420DR2G
PNEDA編號 NCP3420DR2G
描述 IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 229,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP3420DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP3420DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP3420DR2G, NCP3420DR2G數據表 (總頁數: 9, 大小: 149.94 KB)
PDFNCP3420MNR2G數據表 封面
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NCP3420DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.6V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)35V
上升/下降時間(典型值)16ns, 11ns
工作溫度0°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

90ns, 40ns

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-PDIP

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制造商

IXYS Integrated Circuits Division

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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Renesas Electronics America Inc.

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9.5V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.6A, 2.4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

75V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

-

頻道類型

-

驅動程序數量

-

門類型

-

電壓-供電

-

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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