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NCD5702DR2G

NCD5702DR2G

僅供參考

型號 NCD5702DR2G
PNEDA編號 NCD5702DR2G
描述 METAL SPIN OF NCD5702. HI
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCD5702DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCD5702DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCD5702DR2G, NCD5702DR2G數據表 (總頁數: 18, 大小: 671.29 KB)
PDFNCD5702DR2G數據表 封面
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NCD5702DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT
電壓-供電5.5V
邏輯電壓-VIL,VIH0.75V, 4.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)7.8A, 6.8A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)9.2ns, 7.9ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

4

門類型

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2mA, 1.2mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

3.5µs, 3µs

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-SSOP

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Renesas Electronics America Inc.

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

15V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6V ~ 36V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.9V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

1µs, 1µs

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Monolithic Power Systems Inc.

制造商

Monolithic Power Systems Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 2.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

100V

上升/下降時間(典型值)

12ns, 9ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.9A, 2.3A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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