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NANO100LD2BN

NANO100LD2BN

僅供參考

型號 NANO100LD2BN
PNEDA編號 NANO100LD2BN
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP
制造商 Nuvoton Technology
單價 請求報價
庫存 8,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NANO100LD2BN資源

品牌 Nuvoton Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NANO100LD2BN
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
NANO100LD2BN, NANO100LD2BN數據表 (總頁數: 160, 大小: 2,517.41 KB)
PDFNANO120KE3BN數據表 封面
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NANO100LD2BN規格

制造商Nuvoton Technology Corporation of America
系列NuMicro™ Nano100
核心處理器ARM® Cortex®-M0
核心大小32-Bit
速度42MHz
連接性I²C, SPI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT
I / O數量38
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小8K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.8V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 7x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LQFP
供應商設備包裝-

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I / O數量

25

程序存儲器大小

28KB (16K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 24x10b; D/A 1x5b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, WDT

I / O數量

83

程序存儲器大小

512KB (512K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

192K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.8V

數據轉換器

A/D 16x12b SAR; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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核心大小

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

55

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x10b, 8x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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外圍設備

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I / O數量

54

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.71V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 16x16b; D/A 1x12b

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Internal

工作溫度

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程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

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EEPROM大小

-

RAM大小

6K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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振蕩器類型

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