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MZ0912B100Y,114

MZ0912B100Y,114

僅供參考

型號 MZ0912B100Y,114
PNEDA編號 MZ0912B100Y-114
描述 RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
制造商 Ampleon
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MZ0912B100Y資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MZ0912B100Y,114
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MZ0912B100Y, MZ0912B100Y數據表 (總頁數: 12, 大小: 81.13 KB)
PDFMZ0912B100Y數據表 封面
MZ0912B100Y數據表 頁面 2 MZ0912B100Y數據表 頁面 3 MZ0912B100Y數據表 頁面 4 MZ0912B100Y數據表 頁面 5 MZ0912B100Y數據表 頁面 6 MZ0912B100Y數據表 頁面 7 MZ0912B100Y數據表 頁面 8 MZ0912B100Y數據表 頁面 9 MZ0912B100Y數據表 頁面 10 MZ0912B100Y數據表 頁面 11

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MZ0912B100Y規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡1.215GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益7.6dB
功率-最大290W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-443A
供應商設備包裝CDFM2

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

LM3046MX

Texas Instruments

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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增益

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功率-最大

750mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

14-SOIC

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

頻率-過渡

1GHz ~ 1.4GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

3.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 50mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Microsemi

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Microsemi Corporation

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.2dBd

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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