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MVDF2C03HDR2G

MVDF2C03HDR2G

僅供參考

型號 MVDF2C03HDR2G
PNEDA編號 MVDF2C03HDR2G
描述 MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MVDF2C03HDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MVDF2C03HDR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MVDF2C03HDR2G, MVDF2C03HDR2G數據表 (總頁數: 10, 大小: 148.69 KB)
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MVDF2C03HDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.1A, 3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 24V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

419pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C

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包裝/箱

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