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MUN5137T1G

MUN5137T1G

僅供參考

型號 MUN5137T1G
PNEDA編號 MUN5137T1G
描述 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN5137T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN5137T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN5137T1G, MUN5137T1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 178.3 KB)
PDFDTA144WET1G數據表 封面
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MUN5137T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大202mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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功率-最大

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

功率-最大

-

安裝類型

-

包裝/箱

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

1.5W

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

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