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MUN2234T1G

MUN2234T1G

僅供參考

型號 MUN2234T1G
PNEDA編號 MUN2234T1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 149,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN2234T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN2234T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN2234T1G, MUN2234T1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 128.65 KB)
PDFNSBC124XF3T5G數據表 封面
NSBC124XF3T5G數據表 頁面 2 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 3 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 4 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 5 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 6 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 7 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 8 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 9 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 10 NSBC124XF3T5G數據表 頁面 11

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MUN2234T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大338mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

190MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

230MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

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制造商

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

2W

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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