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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

僅供參考

型號 MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
PNEDA編號 MT53D512M64D4NY-046-XT-ES-E
描述 IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
類別半導體內存IC內存

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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小32Gb (512M x 64)
內存接口-
時鐘頻率2133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-30°C ~ 105°C (TC)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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時鐘頻率

1MHz

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5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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