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MT48V8M16LFB4-10:G TR

MT48V8M16LFB4-10:G TR

僅供參考

型號 MT48V8M16LFB4-10:G TR
PNEDA編號 MT48V8M16LFB4-10-G-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT48V8M16LFB4-10:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT48V8M16LFB4-10:G TR
類別半導體內存IC內存

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MT48V8M16LFB4-10:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間7ns
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (8x8)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

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Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

200ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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