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MT47H64M8B6-3:D TR

MT47H64M8B6-3:D TR

僅供參考

型號 MT47H64M8B6-3:D TR
PNEDA編號 MT47H64M8B6-3-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H64M8B6-3:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H64M8B6-3:D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT47H64M8B6-3:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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