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MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

僅供參考

型號 MT47H32M16BN-37E:D TR
PNEDA編號 MT47H32M16BN-37E-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H32M16BN-37E:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H32M16BN-37E:D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H32M16BN-37E:D TR, MT47H32M16BN-37E:D TR數據表 (總頁數: 122, 大小: 4,944.76 KB)
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MT47H32M16BN-37E:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率267MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間500ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (10x12.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-VSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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