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MT47H1G4WTR-25E:C TR

MT47H1G4WTR-25E:C TR

僅供參考

型號 MT47H1G4WTR-25E:C TR
PNEDA編號 MT47H1G4WTR-25E-C-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H1G4WTR-25E:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H1G4WTR-25E:C TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H1G4WTR-25E:C TR, MT47H1G4WTR-25E:C TR數據表 (總頁數: 13, 大小: 312.55 KB)
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MT47H1G4WTR-25E:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小4Gb (1G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-FBGA
供應商設備包裝63-FBGA (9x11.5)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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