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MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

僅供參考

型號 MT47H128M4CB-5E:B TR
PNEDA編號 MT47H128M4CB-5E-B-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M4CB-5E:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M4CB-5E:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H128M4CB-5E:B TR, MT47H128M4CB-5E:B TR數據表 (總頁數: 139, 大小: 9,398.13 KB)
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MT47H128M4CB-5E:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間600ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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訪問時間

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

15ns

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工作溫度

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