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MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

僅供參考

型號 MT47H128M4B6-3:D TR
PNEDA編號 MT47H128M4B6-3-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 3 - 七月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M4B6-3:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M4B6-3:D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT47H128M4B6-3:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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55ns

訪問時間

55ns

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2.7V ~ 5.5V

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

500MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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