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MT46V32M8FG-5B:G TR

MT46V32M8FG-5B:G TR

僅供參考

型號 MT46V32M8FG-5B:G TR
PNEDA編號 MT46V32M8FG-5B-G-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M8FG-5B:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M8FG-5B:G TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT46V32M8FG-5B:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x14)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

1.125Gb (32Mb x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

168-BGA

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

MT41J256M4HX-15E:D TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

1Gb (256M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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