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MT46V128M4TG-75:D TR

MT46V128M4TG-75:D TR

僅供參考

型號 MT46V128M4TG-75:D TR
PNEDA編號 MT46V128M4TG-75-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V128M4TG-75:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V128M4TG-75:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V128M4TG-75:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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100-TQFP (14x20)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

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時鐘頻率

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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寫周期-字,頁

3ms

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