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MT46H16M16LFBF-6:H

MT46H16M16LFBF-6:H

僅供參考

型號 MT46H16M16LFBF-6:H
PNEDA編號 MT46H16M16LFBF-6-H
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H16M16LFBF-6:H資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H16M16LFBF-6:H
類別半導體內存IC內存

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MT46H16M16LFBF-6:H規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁12ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-VFBGA
供應商設備包裝60-VFBGA (8x9)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOP

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs, 3ms

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