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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

僅供參考

型號 MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
PNEDA編號 MT45W512KW16BEGB-708-WT-TR
描述 IC PSRAM 8M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT45W512KW16BEGB-708 WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR, MT45W512KW16BEGB-708 WT TR數據表 (總頁數: 58, 大小: 1,721.22 KB)
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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

32Gb (1G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-VFBGA

供應商設備包裝

200-VFBGA (10x14.5)

7132LA55P

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

48-PDIP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

24AA32AX-I/ST

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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