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MT45W4MW16BFB-706 WT TR

MT45W4MW16BFB-706 WT TR

僅供參考

型號 MT45W4MW16BFB-706 WT TR
PNEDA編號 MT45W4MW16BFB-706-WT-TR
描述 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 15 - 七月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT45W4MW16BFB-706 WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT45W4MW16BFB-706 WT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT45W4MW16BFB-706 WT TR, MT45W4MW16BFB-706 WT TR數據表 (總頁數: 61, 大小: 969.65 KB)
PDFMT45W4MW16BFB-856 WT TR數據表 封面
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MT45W4MW16BFB-706 WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (6x9)

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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Fremont Micro Devices Ltd

制造商

Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOP

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