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MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

僅供參考

型號 MT41K512M8V90BWC1
PNEDA編號 MT41K512M8V90BWC1
描述 IC DRAM 4G PARALLEL
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 5 - 六月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8V90BWC1資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8V90BWC1
類別半導體內存IC內存

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MT41K512M8V90BWC1規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

300ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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