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MT41K2G4SN-107:A TR

MT41K2G4SN-107:A TR

僅供參考

型號 MT41K2G4SN-107:A TR
PNEDA編號 MT41K2G4SN-107-A-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K2G4SN-107:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K2G4SN-107:A TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K2G4SN-107:A TR, MT41K2G4SN-107:A TR數據表 (總頁數: 205, 大小: 2,924.52 KB)
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MT41K2G4SN-107:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小8Gb (2G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x13.2)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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70ns

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