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MT41K1G4RG-107:N

MT41K1G4RG-107:N

僅供參考

型號 MT41K1G4RG-107:N
PNEDA編號 MT41K1G4RG-107-N
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K1G4RG-107:N資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K1G4RG-107:N
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41K1G4RG-107:N規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (1G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (7.5x10.6)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

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內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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60-FBGA (8x14)

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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