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MT41K128M8JP-125:G TR

MT41K128M8JP-125:G TR

僅供參考

型號 MT41K128M8JP-125:G TR
PNEDA編號 MT41K128M8JP-125-G-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K128M8JP-125:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K128M8JP-125:G TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K128M8JP-125:G TR, MT41K128M8JP-125:G TR數據表 (總頁數: 215, 大小: 16,514.28 KB)
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MT41K128M8JP-125:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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電壓-供電

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

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2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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