MT3S111TU,LF
僅供參考
| 型號 | MT3S111TU,LF |
| PNEDA編號 | MT3S111TU-LF |
| 描述 | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 4,734 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 30 - 七月 5 (選擇加急運輸) |
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MT3S111TU資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | MT3S111TU,LF |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-RF |
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MT3S111TU規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | NPN |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 6V |
| 頻率-過渡 | 10GHz |
| 噪聲系數（dB Typ @ f） | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 增益 | 12.5dB |
| 功率-最大 | 800mW |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 3-SMD, Flat Leads |
| 供應商設備包裝 | UFM |
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