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MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

僅供參考

型號 MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
PNEDA編號 MT29F6T08ETHBBM5-3RES-B-TR
描述 IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小6Tb (768G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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工作溫度

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安裝類型

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MT29F1T08CLHBBG1-3R:B

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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