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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR

僅供參考

型號 MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
PNEDA編號 MT29F1T08CMHBBJ4-3R-B-TR
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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45ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Fremont Micro Devices Ltd

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

800kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

700ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

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工作溫度

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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15ns

訪問時間

450ps

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工作溫度

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