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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

僅供參考

型號 MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
PNEDA編號 MT29E4T08EYHBBG9-3ES-B
描述 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
類別半導體內存IC內存

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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Tb (512G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

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工作溫度

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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