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MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

僅供參考

型號 MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
PNEDA編號 MT29E1T08CUCBBH8-6-B-TR
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝152-LBGA (14x18)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

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內存接口

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時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

70MHz

寫周期-字,頁

500µs

訪問時間

-

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