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MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR

MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR

僅供參考

型號 MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
PNEDA編號 MT29C4G96MAZBACKD-5-WT-TR
描述 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
類別半導體內存IC內存

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MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱137-TFBGA
供應商設備包裝137-TFBGA (10.5x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-TWBGA (8x12.5)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8, 128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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