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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR

僅供參考

型號 MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
PNEDA編號 MT29C4G96MAZBACKD-5-E-WT-TR
描述 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
類別半導體內存IC內存

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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱137-TFBGA
供應商設備包裝137-TFBGA (10.5x13)

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內存大小

32Gb (1G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-VFBGA

供應商設備包裝

200-VFBGA (10x14.5)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Gb (128M x 128)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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