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MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

僅供參考

型號 MT25QL512ABA8E12-1SIT TR
PNEDA編號 MT25QL512ABA8E12-1SIT-TR
描述 IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT25QL512ABA8E12-1SIT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT25QL512ABA8E12-1SIT TR
類別半導體內存IC內存

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MT25QL512ABA8E12-1SIT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁8ms, 2.8ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-T-PBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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