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MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT MT25QL128ABA1ESE-0SIT

僅供參考

型號 MT25QL128ABA1ESE-0SIT
PNEDA編號 MT25QL128ABA1ESE-0SIT
描述 IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $425.5894
50 ---------- $405.6399
100 ---------- $385.6904
200 ---------- $365.7409
400 ---------- $349.1163
500 ---------- $332.4917
庫存 13,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 7 - 十月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT25QL128ABA1ESE-0SIT資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT25QL128ABA1ESE-0SIT
類別半導體內存IC內存
數據表
MT25QL128ABA1ESE-0SIT, MT25QL128ABA1ESE-0SIT數據表 (總頁數: 92, 大小: 1,225.59 KB)
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁8ms, 2.8ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SO W

71V67603S166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

7006S55PF8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

IS62WV5128EALL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP I (8x18.4)

MT47H64M16HR-25E AAT:H TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-FBGA (8x12.5)

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