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MSS1P5HM3/89A

MSS1P5HM3/89A

僅供參考

型號 MSS1P5HM3/89A
PNEDA編號 MSS1P5HM3-89A
描述 DIODE SCHOTTKY 1A 50V MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSS1P5HM3/89A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSS1P5HM3/89A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSS1P5HM3/89A, MSS1P5HM3/89A數據表 (總頁數: 4, 大小: 103.74 KB)
PDFMSS1P6HM3J/89A數據表 封面
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MSS1P5HM3/89A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果680mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 50V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AD
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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