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MSD42WT1

MSD42WT1

僅供參考

型號 MSD42WT1
PNEDA編號 MSD42WT1
描述 TRANS NPN 300V 0.15A SOT-323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSD42WT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSD42WT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MSD42WT1, MSD42WT1數據表 (總頁數: 4, 大小: 88.8 KB)
PDFMSD42WT1數據表 封面
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MSD42WT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 30mA, 10V
功率-最大150mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

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10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

功率-最大

415mW

頻率-過渡

185MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

10MHz

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