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MSC2712GT1G

MSC2712GT1G

僅供參考

型號 MSC2712GT1G
PNEDA編號 MSC2712GT1G
描述 TRANS NPN 50V 0.1A SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 191,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSC2712GT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSC2712GT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MSC2712GT1G, MSC2712GT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 57.12 KB)
PDFMSC2712YT1G數據表 封面
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MSC2712GT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大200mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 7.5A, 3V

功率-最大

70W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

36W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 6mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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